|
термическая диссоциация при температуре 800-900oС обезвоженных кристаллов. При этом получается высококонцентрированный (18-19 %) сернистый газ и вторичный (оборотный) магнезит.
Сернистый ангидрид может быть переработан в серную кислоту или элементарную серу, а оборотный магнезит возвращается через дозирующее устройство в циркуляционный сборник, замыкая технологический цикл.
Магнезитовый "бескристальный" метод
Предложен и проверен НИИОгазом. Основан на эффекте растворения кристаллов сульфита магния, образующихся на насадке по реакции:
...
Образующийся бисульфит магния при обычных условиях не существует в твердом состоянии, и, следовательно, не образует насыщенных растворов.
Предложено прекращать периодически дозировку на 1-2 ч через каждые 5-7 суток работы установки при исходной концентрации SO2 0,4-0,6 %. При этом раствор закисляется до рН 4-4,5. Осадок гексагидрата сульфита магния растворяется и переходит в бисульфит. Это позволяет поддерживать гидравлическое сопротивление абсорбера 50-60 мм вод. ст. в течение длительного времени без промывки водой. Забивание абсорбера можно предотвратить и наиболее полным удалением кристаллов сульфита магния из поглотительной суспензии, подаваемой на орошение.
По схеме "бескристального" метода кристаллы из раствора выделяются в специальном аппарате - нейтрализаторе, где бисульфит магния взаимодействует с магнезитом. В цикле сорбции находится обычно минимальное количество (2-3 %) кристаллов сульфита магния. Это значительно облегчает работу установки.
Схема метода приведена на рис. 9.9.
Газ подается в скруббер 1, где очищается от SO2. Поглотительный раствор, содержащий до 50-70 г/л бисульфита магния, из скруббера поступает в циркуляционный сборник 2, из последнего часть раствора подается в напорный бак 3 и возвращается на орошение скруббера, а часть - в нейтрализатор 4 для выделения кристаллов ..., куда также подается необходимое количество сухого магнезита.
Нейтрализатор 4 служит не только для нейтрализации бисульфита, но и для роста кристаллов гексагидрата, поэтому его емкость должна быть рассчитана на пребывание в нем суспензии в течение 30-35 мин. Условием получения и быстрого роста кристаллов является хорошее перемешивание.
|
